BUX39
Артикул: 196265
Комментарии | Кол-во | Цена с НДС | В заказ |
---|---|---|---|
Semelab TO3 |
25 Срок отгрузки: 1-2 раб. дня |
от 0:
1 200.00 руб.
от 5:
1 100.00 руб.
от 25:
1 000.00 руб.
|
Основные параметры транзистора BUX39 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BUX39 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
120W | 120V | 90V | 7V | 30A | 200°C | 8MHz | - | 15/45 |
Производитель: STE
Сфера применения: RF, Power
Популярность: 998
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BUX39
Общий вид транзистора BUX39. | Цоколевка транзистора BUX39. |
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.