Материал p-n-перехода: Si

Структура транзистора: PNP

Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.15 W

Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 35 V

Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.05 A

Предельная температура p-n перехода (Tj): 120 C

Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 50