Вид: Витрина Таблица
Количество товаров на страницу: 10 20 50
Показано 1 — 15 из 15 товаров
Наименование Комментарии Кол-во Цена с НДС В заказ
PD84001

PD84001

Арт.: 1114687

ST SOT89 1728
Срок отгрузки: 5 раб. дней

от 0: 79.48 руб.

от 7: 79.48 руб.

от 40: 79.48 руб.

RD06HHF1-501, Si 30MHz 6.0W 12.5V TO220 , замена RD06HHF1-101

RD06HHF1-501, Si 30MHz 6.0W 12.5V TO220 , замена RD06HHF1-101

Арт.: 12295

Mitsubishi 98
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 298.14 руб.

от 5: 298.14 руб.

от 20: 298.14 руб.

MGF0918A-03, GaAs FET  полевой транзистор , материал-арсенид галия, центральная частота рабочего д

MGF0918A-03, GaAs FET полевой транзистор , материал-арсенид галия, центральная частота рабочего д

Арт.: 12284

Mitsubishi 330
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 308.88 руб.

от 5: 204.98 руб.

от 20: 182.27 руб.

RD07MVS1-501, ВЧ транзистор, 0Si 175MHz 7W 7,2V SLP, замена RD07MVS1-101

RD07MVS1-501, ВЧ транзистор, 0Si 175MHz 7W 7,2V SLP, замена RD07MVS1-101

Арт.: 12297

Mitsubishi 80
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 329.92 руб.

от 30: 329.92 руб.

от 120: 329.92 руб.

RD16HHF1-501, Si 30MHz 12.5V 16W TO220

RD16HHF1-501, Si 30MHz 12.5V 16W TO220

Арт.: 12328

Mitsubishi 100
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 344.70 руб.

от 20: 344.70 руб.

от 80: 344.70 руб.

RD12MVS1-501, Si 175MHz 11.5W 7,2V SLP

RD12MVS1-501, Si 175MHz 11.5W 7,2V SLP

Арт.: 12327

Mitsubishi 90
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 363.92 руб.

от 10: 363.92 руб.

от 40: 363.92 руб.

PD55003-E

PD55003-E

Арт.: 277375

ST POWERSO10RF 1047
Срок отгрузки: 5 раб. дней

от 0: 790.05 руб.

от 2: 750.55 руб.

от 7: 658.38 руб.

MGFC36V5258-51, свч транзистор GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8

MGFC36V5258-51, свч транзистор GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8

Арт.: 12311

Mitsubishi 2
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 1 080.65 руб.

от 2: 1 080.65 руб.

от 8: 1 080.65 руб.

MGF0921A-03, GaAs FET 1.9GHz 10W 31dBm GF-50

MGF0921A-03, GaAs FET 1.9GHz 10W 31dBm GF-50

Арт.: 12286

Mitsubishi 8
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 1 193.66 руб.

от 5: 1 193.66 руб.

от 20: 1 193.66 руб.

MGF0920A-03, GaAs FET 1.9GHz 8.3W 30dBm GF-50

MGF0920A-03, GaAs FET 1.9GHz 8.3W 30dBm GF-50

Арт.: 12285

Mitsubishi 17
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 1 239.95 руб.

от 10: 1 239.95 руб.

от 40: 1 239.95 руб.

PD55015-E

PD55015-E

Арт.: 186598

ST POWERSO10RF 366
Срок отгрузки: 5 раб. дней

от 0: 1 242.88 руб.

от 5: 1 090.24 руб.

от 18: 1 035.74 руб.

RD20HMF1-101, свч транзистор  900MHz 20W 12.5V ceramic

RD20HMF1-101, свч транзистор 900MHz 20W 12.5V ceramic

Арт.: 12299

Mitsubishi 14
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 1 250.57 руб.

от 2: 1 250.57 руб.

от 8: 1 250.57 руб.

MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17, СВЧ тразистор

MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17, СВЧ тразистор

Арт.: 12291

Mitsubishi 15
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 1 412.24 руб.

от 2: 1 412.24 руб.

от 8: 1 412.24 руб.

RD60HUF1C-501, Si 520MHz 60W 12.5v ceramic (лоток 9шт), =RD60HUF1-101

RD60HUF1C-501, Si 520MHz 60W 12.5v ceramic (лоток 9шт), =RD60HUF1-101

Арт.: 12330

Mitsubishi 14
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 1 893.58 руб.

от 10: 1 893.58 руб.

от 40: 1 893.58 руб.

RD100HHF1C-501, HF-band, 30 MHz, 100 Watt, 12.5 Volt, ceramic large

RD100HHF1C-501, HF-band, 30 MHz, 100 Watt, 12.5 Volt, ceramic large

Арт.: 12326

Mitsubishi 18
Срок отгрузки: 10 раб. дней

от 0: 2 247.80 руб.

от 10: 2 247.80 руб.

от 40: 2 247.80 руб.

Количество товаров на страницу: 10 20 50
Показано 1 — 15 из 15 товаров

Заметили ошибку? Напишите нам!

Оставьте отзыв о нас!